Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"H.J. Peifer"'
Autor:
M. Hackel, Shiuh-Luen Wang, Takahiro Iizuka, Christoph Jungemann, R. Thoma, Philippe Dollfus, Neil Goldsman, F. Dessenne, Xiaolin Wang, Ting-Wei Tang, Kenji Taniguchi, Karl Hess, Yoshinari Kamakura, Masaaki Tomizawa, C. Maziar, H.J. Peifer, S. Ramaswamy, P. Hesto, K. Tomizawa, Akira Yoshii, Chiang-Sheng Yao, Nobuyuki Sano, C. Fiegna, Rossella Brunetti, Tatsuya Kunikiyo, Chihiro Hamaguchi, J. L. Thobel, Antonio Abramo, R. Fauquembergue, R. Castagné, Siegfried Selberherr, Steven E. Laux, Massimo V. Fischetti, K. Hennacy, L. Baudry, P.G. Scrobohaci, Hongchin Lin, M. Charef, Hans Kosina, J.M. Higman, M. Takenaka, H. Mizuno, P. D. Yoder, S. Galdin, W.L. Engl, T. Vogelsang, Robert W. Dutton
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:1646-1654
In this work we have undertaken a comparison of several previously reported computer codes which solve the semiclassical Boltzmann equation for electron transport in silicon. Most of the codes are based on the Monte Carlo particle technique, and have
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:1343-1353
A system of generalized hydrodynamic equations is derived from Boltzmann's transport equation for semiconductors without the assumption of a parabolic band structure. After some simplifications these equations can be arranged in such a way that their
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
A system of generalized hydrodynamic equations is derived from Boltzmann's transport equation without the assumption of a constant effective mass. This model has a structure similar to conventional hydrodynamic models, but requires four different rel
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest].
Using consistent Monte Carlo (MC) and hydrodynamic (HD) MOS device models the validity of the three impact ionization modeling approaches which are most frequently used in the framework of hydrodynamic equation is examined with the MC model as physic
Publikováno v:
Granular Nanoelectronics ISBN: 9781489936912
During an impact ionization (II) process in a semiconductor a high-energy electron loses an amount of its energy (always larger than the energy gap) by interacting with a valence-electron. At the end of the interaction three free carriers, in place o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::67c413b902970fa0cb80ade1064f3d42
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-3689-9_39
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-3689-9_39
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.