Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"H.J. Oguey"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 32:999-1005
A micropower crystal oscillator module for watch applications is presented. The integrated circuit is encapsulated with a 2.1-MHz crystal in a miniature vacuum package to reduce parasitic effects. The circuit comprises frequency tuning with a resolut
Autor:
D. Aebischer, H.J. Oguey
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 32:1132-1135
A micropower current reference in the range of 1 to 100 nA is built with CMOS transistors only, featuring low sensitivity with respect to technology and temperature. Supply voltage can be as low as 1.2 V. This autonomous circuit is simple and occupie
Autor:
H.J. Oguey, B. Gerber
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 15:264-269
A voltage reference in CMOS technology is based upon transistor pairs of the same type except for the opposite doping type of their polysilicon gates. At identical drain currents, the gate voltage difference, close to the silicon bandgap, is 1.2 V/sp
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 23:465-473
A system that combines light sensors and analog and digital parts on the same CMOS chip has been fabricated. The optical and electrical properties of various photodiodes, which are fully compatible with a standard CMOS technology, are discussed. The
Autor:
A.W. Straiton, C.F. Cook, J.R. Baird, R. Ulrich, R.G. Smith, F.J. Tischer, M.L. Wright, C.A. Burrus, R.H. Pantell, C.W. Tolbert, H.J. Oguey, E.M. Rutz-Philipp, C.J. Butterworth, E. Kramer, G.H. Preece, P.D. Coleman, J.J. Taub, M.W. Long, H.R. Froelich, L.R. Hodges, R. Meredith, L. Genzel, F.J. Rosenbaum, A.J. Simmons, J.F. Byrne, D.R. Taft, G. P. Rodrigue, F.L. Warner, G.R. Harrison, R.W. Zimmerer, J.M. Cotton, E. Brannen, O.F. Hinckelmann, K.F. Renk, H.J. Hindin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 11:455-459
Autor:
H.J. Oguey
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 11:412-419
This analysis shows the order of magnitude of the highest frequency and power to be expected from a single tunnel diode generator. An optimization on the circuit level indicates how to make the best use of a given device. The influence of the dimensi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.