Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"H.J. Ligthart"'
Publikováno v:
Philips Journal of Research. 50:475-499
Material aspects of the glass plates of the Zeus panel, a new type of flat and slim display, are described as well as the studied glass machining technologies and options for the individual glass parts. Especially the fabrication of the holes in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::adfa19cb676fa77ed21dff93dcd2b6fe
https://doi.org/10.1016/s0165-5817(97)84687-6
https://doi.org/10.1016/s0165-5817(97)84687-6
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 39:614-618
In this work the microstructure of implanted metal surfaces is studied as a function of depth under the surface by using TEM cross sections. It is found that the range Rd of the implantation damage is very much larger than the LSS-projected range Rp.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5aa0f9e41047d12dd8ced6c7ea628656
https://doi.org/10.1016/0168-583x(89)90860-4
https://doi.org/10.1016/0168-583x(89)90860-4
Autor:
S. Hoekstra, E. Gerritsen, H.J. Ligthart, R.E. van de Leest, E. Keetels, P.J. van Den Kerkhoff
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :209-212
Pure copper was implanted with aluminium ions at energies of 170 and 257 keV and with doses up to 5 × 1017 at./cm2. The resulting profiles were determined using NRA, RBS or AES techniques. Cross sectional TEM studies revealed two distinct damage lay
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eed696476b4530750d118cf24afe0ec5
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(87)80044-7
https://doi.org/10.1016/s0168-583x(87)80044-7
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 42:155-161
Boron, aluminium and gallium ions were implanted at 600 keV in a crystalline Si-(001) target for tilt angles 11.6 °, 33.7 °, 63 °, 73 ° and 83 °. The depth profiles of the implanted impurities were measured with secondary ion mass spectrometry.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fddb54e348536b9b24dd83b6cb606b91
https://doi.org/10.1016/0168-583x(89)90700-3
https://doi.org/10.1016/0168-583x(89)90700-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.