Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"H.J. Hensel"'
Autor:
W.-D. Molzow, V. A. Shchukin, Norbert Grote, C. Moller, S.S. Mikhrin, P. Matthijsse, A. R. Kovsh, Gerard Kuyt, N. N. Ledentsov, A. Paraskevopoulos, Igor Krestnikov, Holger Klein, H.J. Hensel, D.A. Livshits
Publikováno v:
2006 Optical Fiber Communication Conference and the National Fiber Optic Engineers Conference.
Electrical bandwidth of 60 GHz and optical bandwidth exceeding 35 GHz, limited by the photodetector response, are demonstrated for an electrooptically-modulated VCSEL. The maximum single mode power approaches 3mW continuous wave. Modulation voltage e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d6764a1211c7df331361c03b93af251
https://doi.org/10.1109/ofc.2006.216055
https://doi.org/10.1109/ofc.2006.216055
Publikováno v:
International Conference onIndium Phosphide and Related Materials, 2003..
An improved Ar/Cl CAME process for the fabrication of InP-based Photonic Crystals (PhCs) is presented. Effects of temperature, ion beam, chlorine flow and other parameters are discussed. In particular feature size effects are investigated on a length
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::344e203bcb9e2dbec8f7b7bbb5543ff4
https://doi.org/10.1109/iciprm.2003.1205315
https://doi.org/10.1109/iciprm.2003.1205315
Publikováno v:
1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
Experimental results with a secondary ion mass spectroscopy in situ monitoring system for ion beam etching are described. The authors demonstrate that the sensitivity of this method is high enough to monitor the dry etching of any type of semiconduct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8624cd1816f74c3a4573612a6bdd50a0
https://doi.org/10.1109/iciprm.1993.380602
https://doi.org/10.1109/iciprm.1993.380602
Autor:
E. Suryaputra, P. Wolfram, K. Janiak, A. Paraskevopoulos, W.-D. Molzow, H. Roehle, W. Ebert, H.J. Hensel
Publikováno v:
LEOS 2001. 14th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (Cat. No.01CH37242).
Dry etched facets remain a very attractive task in the semiconductor laser diode fabrication, as they can potentially lead to on-wafer device fabrication including preliminary testing, allowing thus a substantial cost reduction. Chemically assisted i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5fcb7a138bb29265fd02aaeea34c4a08
https://doi.org/10.1109/leos.2001.969228
https://doi.org/10.1109/leos.2001.969228
MBE regrowth on AlGaInAs surfaces structured with DFB gratings has been studied. As a crucial process, in-situ hydrogen radical processing established as a basic in-situ surface cleaning technique has been used, and appropriate process parameters hav
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dd5e5aa4f7077720686db175d5be9448
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/191751
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/191751
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.