Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"H.F. Sahafi"'
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 25:63-68
Reactive ion etching of GaAs was carried out in mixtures of methane and hydrogen to study the behaviour of the dc self-bias voltage. The etch rate was evaluated for different values of the process parameters including changes in the volume concentrat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87c6744508528617c7aaa5c6ed94e962
https://doi.org/10.1016/0026-2692(94)90159-7
https://doi.org/10.1016/0026-2692(94)90159-7
Publikováno v:
Vacuum. 44:263-265
Etching of GaAs in CH4/H2 mixtures is reported. To determine the optimum concentration of methane for etching, experiments were performed by changing the flow of CH4 and H2 but keeping the total flow rate constant. The optimum concentration of CH4 in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::349826df8972a9eac2e1103168ce74a9
https://doi.org/10.1016/0042-207x(93)90166-8
https://doi.org/10.1016/0042-207x(93)90166-8
Publikováno v:
Electronics Letters. 28:2300-2302
Damaged induced in p-GaAs due to RIE in pure H2 and a mixture of CH4/H2 has been investigated by I-V and C-V measurements on Au/p-GaAs Schottky diodes fabricated following the RIE process. The ideality factor, barrier height, depletion width and carr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7e518c0df9542cc23e3e168f788750f4
https://doi.org/10.1049/el:19921480
https://doi.org/10.1049/el:19921480
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.