Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"H.E. Shephard"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 77:629-636
A low-cost high-radiance Ga 1− x Al x As/GaAs LED has been developed using p-n junction isolation to achieve current confinement in an inverted Burrus LED structure. Junction isolation avoids the use of proton implantation techniques leading to a s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bfd7c5b24eb68ce8b50feb2d3365572a
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90361-1
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90361-1
Publikováno v:
Electronics Letters. 23:362
Losses as low 0.65 dB cm-1 (3 ?m width) and 0.3 dB cm-1 (8 ?m width) have been measured (? = 1.15 ?m) in high-confinement (NA ? 0.45) GaAs/GaAlAs optical waveguides grown by MOCVD. The Fabry?Perot loss measurement technique used in deduced to be accu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2cde975e75d41db73024bfd3daac3aa1
https://doi.org/10.1049/el:19870266
https://doi.org/10.1049/el:19870266
Publikováno v:
IEE Proceedings J Optoelectronics. 135:2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe2df1c8ab38472f921b991d45d81a33
https://doi.org/10.1049/ip-j.1988.0002
https://doi.org/10.1049/ip-j.1988.0002
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.