Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"H.-J Ciou"'
Autor:
Ying-Ho Chen, Chee-Wee Liu, Chang-Hsien Lin, W.-T Yeh, S.-J Lo, Fu-Liang Yang, I-Hsieh Wong, Hung-Chih Chang, H.-C Sun, H.-J Ciou, Chenming Hu
Publikováno v:
2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA).
High energy 13.5 nm EUV (~92 eV) induced Ge MOSFET degradation is reportedly for the first time. The degradation of threshold voltage, subthreshold swing, and channel mobility is attributed to the generation of interface traps and oxide fixed charges
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de8c6d1ac1c6e07bdb94cc29a2a1ae9f
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2013.6545603
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2013.6545603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.