Zobrazeno 1 - 10
of 78
pro vyhledávání: '"H.-D. Chiou"'
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 141:1856-1862
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d60722a07108e0136ec05aa0fd78c4ff
https://doi.org/10.1149/1.2055017
https://doi.org/10.1149/1.2055017
Effect of high‐temperature annealing on the dissolution of theD‐defects inn‐type Czochralski silicon
Autor:
H.‐D. Chiou, W. Wijaranakula
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 64:1030-1032
The effect of high‐temperature annealing on the dissolution of crystal grown‐in defects referred to as D‐defects in n‐type Czochralski silicon under various annealing conditions was studied. Annealing at 1200 °C for 1 h in either oxygen or n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::abb1d328e1c9ee5f1e3b37c2388dc6f1
https://doi.org/10.1063/1.110960
https://doi.org/10.1063/1.110960
Autor:
Wu, Defan, Zhao, Tong, Ye, Bin, Chen, Hao, Liang, Xingbo, Li, Shenzhong, Tian, Daxi, Yang, Deren, Ma, Xiangyang
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/21/2023, Vol. 134 Issue 15, p1-15, 15p
Publikováno v:
Methods in Ecology & Evolution; Oct2024, Vol. 15 Issue 10, p1906-1921, 16p
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 76:383-387
Jet etched transmission electron microscope specimens of experimentally grown Czochralski silicon reveal small (10 nm) structures which have weak strain fields, and octahedral facets along silicon {111}. The structures appear darker in brightfield th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a061cfb6c180e5e4a76ed8f3dc2794bb
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90384-2
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90384-2
The role of internal stress in cyclic creep acceleration is critically examined by strain relaxation experiments and numerical calculations. It is shown that the internal stress is the driving force for cyclic creep acceleration and that the internal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f19011ad7f44e9ee674d7e0c46f50f90
https://doi.org/10.1016/b978-1-4832-8412-5.50048-5
https://doi.org/10.1016/b978-1-4832-8412-5.50048-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.