Zobrazeno 1 - 10
of 452
pro vyhledávání: '"H. X. Jiang"'
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 9, p 091001 (2024)
Hexagonal boron nitride (h-BN) has attracted considerable interest as an ultrawide bandgap (UWBG) semiconductor. Experimental studies focused on the detailed near band-edge structure of h-BN at room temperature are still lacking. We report a direct e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e4d33797071642ef9aea61425cd42e32
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 10, Iss 12, Pp 125006-125006-8 (2020)
Erbium doped GaN (Er:GaN) is a promising candidate as a novel gain medium for solid-state high energy lasers (HELs) due to its superior physical properties over a synthetic garnet such as Nd:YAG. Er:GaN emits in the 1.5 µm region, which is retina-sa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/70996a70c2154262a884cc99f59fdfb5
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 10, Iss 2, Pp 025213-025213-5 (2020)
Thermal neutron detectors based on hexagonal boron nitride (h-BN) epilayers have demonstrated a record high efficiency among solid-state detectors at 58%. It was found that the performance of h-BN detectors is profoundly influenced by charge recombin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27051a10ee6f4c919daa2372b8bb8643
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 10, Pp 107126-107126-9 (2014)
Due to its large in-plane thermal conductivity, high temperature and chemical stability, large energy band gap (˜ 6.4 eV), hexagonal boron nitride (hBN) has emerged as an important material for applications in deep ultraviolet photonic devices. Amon
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2857be1c3ebe415bb101bcae42857fe7
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 8, Pp 087141-087141-8 (2014)
The layer structured hexagonal boron nitride carbon semiconductor alloys, h-(BN)C, offer the unique abilities of bandgap engineering (from 0 for graphite to ∼6.4 eV for h-BN) and electrical conductivity control (from semi-metal for graphite to insu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/87c555c8add54f7a8bb959b4f6d39892
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 4, Pp 047122-047122-7 (2014)
Mg-doped AlN/AlGaN superlattice (Mg-SL) and Mg-doped AlGaN epilayers have been investigated in the 284 nm deep ultraviolet (DUV) light emitting diodes (LEDs) as electron blocking layers. It was found that the use of Mg-SL improved the material qualit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5b51b4c5e8940979eba9232b81f293e
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 3, Iss 12, Pp 122116-122116-8 (2013)
The suitability of Si as an n-type dopant in hexagonal boron nitride (hBN) wide bandgap semiconductor has been investigated. Si doped hBN epilayers were grown via in-situ Si doping by metal organic chemical vapor deposition technique. Hall effect mea
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/86c385e84b1245a288539b1f94fe8830
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.