Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"H. Tiebout"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 36:831-837
In this paper, we present a simple analytical model for the thermal channel noise of deep-submicron MOS transistors including hot carrier effects. The model is verified by measurements and implemented in the standard BSIM3v3 SPICE model. We show that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c4b9234f9a86fcae26debc971e7c8ad
https://doi.org/10.1109/4.918922
https://doi.org/10.1109/4.918922
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.