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A 7F/sup 2/ cell and bitline architecture featuring tilted array devices and penalty-free vertical BL twists for 4 Gb DRAM's
Autor: H. Hoenigschmid, A. Frey, J. DeBrosse, T. Kirihata, G. Mueller, G. Daniel, G. Frankowsky, K. Guay, D. Hanson, L. Hsu, B. Ji, D. Netis, S. Panaroni, C. Radens, A. Reith, D. Storaska, H. Terletzki, O. Weinfurtner, J. Alsmeier, W. Weber, M. Wordeman
Publikováno v: 1999 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Papers (IEEE Cat. No.99CH36326).
A 7F/sup 2/ DRAM cell and corresponding vertically folded bitline architecture has been fabricated using a 0.175 /spl mu/m CMOS technology. This concept features an advanced 30/spl deg/ tilted array device layout and an area penalty free inter BL twi
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c35397f81af4dcc1520655829b3f0c9
https://doi.org/10.1109/vlsic.1999.797259
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Electrostatic discharge test structures for CMOS circuits
Autor: H. Terletzki, L. Risch
Publikováno v: Proceedings of the 1989 International Conference on Microelectronic Test Structures.
A module with test structures for the characterization of the electrostatic discharge (ESD) sensitivity of CMOS circuits a module with test structures is described. To evaluate the various types of protection circuits with statistical significance au
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::62945e15003c3eee695c2bd30f71fa16
https://doi.org/10.1109/icmts.1989.39319
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Developing aged SPICE model for hot carrier reliability simulation
Autor: W. Tonti, H. Terletzki, Qiuyi Ye
Publikováno v: 2000 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (Cat. No.00TH8515).
A systematic method to develop aged SPICE model for hot carrier reliability simulation is proposed in this paper. This method not only simplifies the aged model develop procedure, but also solves the problem of modeling reverse stress mode and have g
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df26695e8a4afb600d287bf7df4c1aa1
https://doi.org/10.1109/irws.2000.911926
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Laterally inhomogeneous charge build–up in CMOS inverters during ionizing irradiation
Autor: W. R. Fahrner, A. Boden, F. Wulf, H. Terletzki
Publikováno v: Physica Status Solidi (a). 86:789-794
The build-up of interface states and oxide fixed charges in CMOS inverters during ionizing irradiation (γ-60Co, X-ray, 2.5 MeV electrons) is measured. The interface state spectrum in the inversion region is determined from the transfer characteristi
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::02d596bec38a1bc4bb3db7694dd3f2d7
https://doi.org/10.1002/pssa.2210860239
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Zuverlässigkeitsaspekte Dynamischer Speicher in Sub-Micron CMOS Technologie
Autor: H. Terletzki, W. Reczek
Publikováno v: Mikroelektronik 89 ISBN: 9783211821718
Ausreichende Zuverlassigkeit von dynamischen Speichern kann nur erreicht werden, wenn die Bausteine ESD fest, Latch-up sicher und Noise unempfindlich sind. Die ESD Festigkeit wird deutlich verbessert, wenn im Kontaktlochbereich der Schutzstruktur ein
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3fe695eef1cb067fc70178799f918d46
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-9073-9_38
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Mikroelektronik 89
Autor: A. Lechner, M. Schrödl, R. Weiß, E. Brenner, P. Seifter, W. Kosta, G. Raimann, F. Furtner, D. Kirchner, H. Bühler, B. Nemsic, W. Jerono, G. Horak, R. Messaros, F. Seifert, P. Fey, A. Goßlau, A. Gottwald, W. Gáspár-Ruppert, P. Kreuzgruber, A. L. Scholtz, W. Smutny, P. Koschnick, W. Schulz, R. Schwarze, Peter W. Fröhling, Robert Casari, E. Fugger, P. Spinadel, J. Niwinski, L. Prager, E. Schauer, G. Rigler, K. Moshammer, H. Arnold, W. Pribyl, R. Röhrer, W. A. Halang, K. Barbier, F. Schiestl, C. Blind, H. Kamper, A. Krenn, H. Fleischmann, R. Schlager, L. Sturm, J. Retti, S. Rohringer, H. Schreiner, G. Fleischanderl, W. Höllinger, R. Fasching, G. Stonawski, H. Huber, J. Jaeger, H. Stadlbauer, R. Weissgärber, W. Reczek, H. Terletzki, Titu I. Bajenescu, T. Grechenig, Ch. Heinze, P. Purgathofer, J. Kohl, E. Schoitsch, G. Stöckler, F. Immitzer, W. Kasatschinskij, R. Eier, R. Neumann, F. Buschbeck, E. Riedl-Bratengeyer, D. Hornbachner, G. Güttler, C. Schmitzer, W. Klösch, A. Nedelik, E. Schöberl, W. Tritremmel, E. Schmidt, M. Gröschl, E. Benes, H. Siegmund, G. Thorn, G. F. Nowack, G. Urban, F. Kohl, H. Kuttner, A. Jachimowicz, F. Olcaytug, O. Tilado, G. Jobst, F. Pittner, E. Mann-Buxbaum, T. Schalkhammer, K. Lübke, H. Scheiber, C. Diskus, H. Thim, M. Heiss, G. Spath, H. Leopold, M. Pacher, G. Winkler, K. Schröcker, M. Holzer, H. Fürst, J. Baier, P. Löw, R. K. Pucher, M. Becker, M. Mokry, K. Leber, F. Bartelt, G. Graber, W. Eder, W. Marschik, K. Geis, J. Newald, M. Thurnher, G. Schlag, H. Garn, P. Megner, Ch. Wenner, G. Hetzendorf, G. Stehno, D. Donhoffer, H. Schuster, K. Lind, W. Nedetzky, Johann Günther, H. Pichler, F. Pavuza, U. Beszedics, G. Doblinger, W. Wokurek
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3cf1c669cd8c1f6da90e12082fa56839
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-9073-9
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