Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"H. T. Yi"'
Autor:
Y. Chen, H. T. Yi, X. Wu, R. Haroldson, Y. N. Gartstein, Y. I. Rodionov, K. S. Tikhonov, A. Zakhidov, X. -Y. Zhu, V. Podzorov
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 7, Iss 1, Pp 1-9 (2016)
Hybrid perovskites exhibit long carrier diffusion lengths and lifetimes. Here, Chen et al. show experimentally that carrier recombination in perovskites is far from Langevin and closer to the best direct-bandgap semiconductors, which can be explained
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/926ab1b32e804fd688fd8b7e5a12cc5d
Autor:
Eric Garfunkel, Wei Liu, Yang Fang, Simon J. Teat, Xiuze Hei, Jing Li, Vitaly Podzorov, Wooseok Ki, H. T. Yi, Mengjun Li
Publikováno v:
Chemistry of Materials. 33:5317-5325
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5009d64195c1f4ae6d72f04bb82a407e
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c01421
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c01421
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sylvie Rangan, Yuri N. Gartstein, H. T. Yi, Robert Bartynski, Vitaly Podzorov, C. Daniel Frisbie, Boxin Tang
Publikováno v:
Materials Today. 28:31-39
With the development of novel semiconductors for optoelectronic applications, new device functionalities utilizing unique characteristics of emerging materials can be particularly appealing. Here, we demonstrate a reversible control of photoluminesce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ea94b5257b76f4a82d09615a78e13b2
https://doi.org/10.1016/j.mattod.2019.01.003
https://doi.org/10.1016/j.mattod.2019.01.003
Autor:
Alejandro L. Briseno, Shun Watanabe, Kilwon Cho, Jae Joon Kim, Junto Tsurumi, H. T. Yi, Jun Takeya, Hyun Ho Choi, Vitaly Podzorov
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 7, Iss 1, Pp n/a-n/a (2020)
Advanced Science
Advanced Science
Utilizing the intrinsic mobility–strain relationship in semiconductors is critical for enabling strain engineering applications in high‐performance flexible electronics. Here, measurements of Hall effect and Raman spectra of an organic semiconduc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::410eb22a2c50b850cbe687d13a3d0ac2
https://doaj.org/article/4f1ef42b37874c0b8b3e7a37d5922900
https://doaj.org/article/4f1ef42b37874c0b8b3e7a37d5922900
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu Yamashita, Vitaly Podzorov, Ryo Fujimoto, Shun Watanabe, Tomokatsu Kushida, Junto Tsurumi, Hiroyuki Matsui, H. T. Yi, Jun Takeya, Chikahiko Mitsui
Publikováno v:
Organic Electronics. 47:139-146
Doping is one of the most fundamental building blocks for semiconductor processing, and enables adaptation to both charge concentration and electrical conductivity. Despite attempts to investigate various doping and de-doping methods for organic semi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79802482918848c2f7d48163ed8773d3
https://doi.org/10.1016/j.orgel.2017.05.019
https://doi.org/10.1016/j.orgel.2017.05.019
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sang-Wook Cheong, Kee Hoon Kim, Charles R. S. Haines, C. Liu, H. T. Yi, Sae Hwan Chun, Siddharth S. Saxena, Hyeong-Jin Kim
Cs2CuCl4 is known to possess a quantum spin liquid phase with antiferromagnetic interaction below 2.8 K. We report the observation of a new metastable magnetic phase of the triangular frustrated quantum spin system Cs2CuCl4 induced by the application
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2905c5ccbaa4a1eccf627a8ffa2bdbfb
Autor:
Xiaxin Ding, Vivien Zapf, Young Sun, Sang-Wook Cheong, Yisheng Chai, H. T. Yi, Marcelo Jaime, Fedor Balakirev
We present a high resolution method for measuring magnetostriction in millisecond pulsed magnetic fields at cryogenic temperatures with a sensitivity of $1.11\times10^{-11}/\sqrt{\rm Hz}$. The sample is bonded to a thin piezoelectric plate, such that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e0f666348fe9ad4fd005196d63a8a5d2
http://arxiv.org/abs/1807.07192
http://arxiv.org/abs/1807.07192