Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"H. Strömberg"'
Autor:
T Mynster, B Pérez Köhler, J Emmanual, I Vargas Ureña, L Norton, J Zhang, H Strömberg, Lars N. Jorgensen, M T Butron Vila, F García Moreno, H Matheme, Anna Lykke, Sandra Sotomayor, M I Fernandez De Valderrama, Gabriel Sandblom, Gemma Pascual, P. Hellman, J.M. Bellón, Yves Bayon
Publikováno v:
Hernia. 19:S212-S214
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0adc0c4bb2166bd3f3c5642c270c54e7
https://doi.org/10.1007/bf03355352
https://doi.org/10.1007/bf03355352
Autor:
F. Tai, J. W. Li, J. Sun, M. H. Zheng, J. Wink, M. Basta, J. Fischer, S. Kovach, J. Tall, B. S. Håkanson, J. Pålstedt, A. Thorell, C. Huntington, T. Cox, L. Blair, A. Lincourt, T. Prasad, K. Kercher, B. T. Heniford, V. Augenstein, H. Strömberg, P. Hellman, G. Sandblom, U. Gunnarsson, W. Hope, S. Bringman, M. Chudy, C. Romanowski, P. Jones, A. Jacombs, E. Roussos, J. Read, A. Dardano, T. Boesel, M. Edye, N. Ibrahim, V. Lyo, M. Tufaga, U. K. Shin, F. Primus, H. Harris, I. Iesalnieks, F. Di Cerbo, M. Baladov, K. Ikhlawi, S. Azoury, N. Rodriguez-Unda, K. Soares, C. Hicks, P. Baltodano, K. Poruk, L. Hu, C. Cooney, P. Cornell, K. Burce, F. Eckhauser, E. Garvey, T. Zuhlke, D. Jaroszewski, J. Egan, R. Jamshidi, K. Graziano, L. McMahon, N. Rodriquez-Unda, L. Fattori, A. Leva, S. Coppola, L. Gianotti, F. Baccay, H. Alemayehu, J. Singh, I. Lo, A. Amin, A. Harrington, H. Benvenuti, D. Cho, F. George, S. Cate
Publikováno v:
Hernia : the journal of hernias and abdominal wall surgery. 19
Burst abdomen, incisional hernias and stomal hernias : a Swedish population-based register study
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::deac083a99ab9613a315f4b6502dc66f
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26518860
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/26518860
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 83:24-26
Vertical power DMOSFETs in 3C-SiC, ranging in size from a single-cell to 3x3mm^2 containing 12,000 hexagonal cells, were developed for the first time. Both the drain and leakage currents scale linearly with device size up to a 1x1mm^2 device containi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ce0142ef20d01b841e1075a79d28212
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.10.017
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.10.017
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.