Zobrazeno 1 - 10
of 161
pro vyhledávání: '"H. S. Kong"'
Publikováno v:
Journal of Neuroanaesthesiology and Critical Care, Vol 09, Iss 02, Pp 135-138 (2022)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fdf651236a814d0ab4ec6c3db0cd06c5
Publikováno v:
ASM Science Journal. 12:1-13
The objective of the study is to analyse the phytochemical content by quantitative and qualitative methods and to investigate the antioxidant properties on Clinacanthus nutans leaves and stems from different areas: Yik Poh Ling (YPL) un-shaded sample
Publikováno v:
A & A Case Reports. 9:353-356
Patients with obstructive sleep apnea are frequently considered unsuitable candidates for awake craniotomy due to anticipated problems with oxygenation, ventilation, and a potentially difficult airway. At present, only a handful of such accounts exis
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yong-Hwan Kwon, H. S. Kong, G. H. Gainer, S. Bidnyk, J. B. Lam, G. E. Bulman, B. D. Little, J.J. Song
Publikováno v:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 5:661-667
We report on an experimental study of microstructure-based lasing in an optically pumped GaN/AlGaN separate confinement heterostructure (SCH). We achieved low-threshold ultra-violet lasing in optically pumped GaN/AlGaN separate confinement heterostru
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L. L. Clemen, Wolfgang J. Choyke, Gerhard Pensl, David J. Larkin, H. S. Kong, Robert P. Devaty, T. Troffer, S. G. Sridhara
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 83:7909-7919
Two distinct boron-related centers are known in silicon carbide polytypes, one shallow (ionization energy ∼300 meV) and the other deep (∼650 meV). In this work, 4H SiC homoepitaxial films are intentionally doped with the shallow boron center by c