Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"H. S. Haung"'
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::828fe3819fb7243fc61a5089f6419379
https://doi.org/10.7567/ssdm.2008.p-3-15
https://doi.org/10.7567/ssdm.2008.p-3-15
Autor:
Ze-wei Jhou, Wen-cheng Lin, Chia-Hao Tu, Po-wei Kao, Sam Chou, H. S. Haung, Shuang-Yuan Chen, Jung−Chun Lin, Joe Ko
Publikováno v:
2006 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report.
Low voltages in various stress modes and temperatures were applied on two kinds of pMOSFETs to investigate the hot-carrier (HC) induced degradation. Contrary to conventional concepts, this investigation demonstrates that the worst conditions for pMOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::204a202d465f1b4c3e651b2e92cba70c
https://doi.org/10.1109/irws.2006.305236
https://doi.org/10.1109/irws.2006.305236
Publikováno v:
2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop.
In this report, hot carrier stress impact on mismatch properties of n and p MOS transistors with different sizes produced using 0.15 /spl mu/m CMOS technology is presented for the first time. The research reveals that HCI does degrade matching of nMO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2614be01e3eb6e3a3a4b697474fbc75
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609575
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609575
Autor:
Shuang-Yuan Chen, H.W. Chen, S. Chou, H.C. Lin, J. Ko, T.F. Lei, J.C. Lin, Z.W. Jhou, H. S. Haung
Publikováno v:
2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop.
In this report, nMOSFETs having 20 Aring and 32 Aring gate oxide thickness of 0.13 mum technology are used to investigate DC hot carrier reliability at elevated temperatures up to 125degC. The research also focused on the degradation of analog proper
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::afd224ddb675d00ea3ea2ce4b5ee8685
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609579
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609579
Autor:
S. Chou, H. W. Chen, S. Y. Chen, H. S. Haung, Z. W. Jhou, H. C. Lin, T. F. Lei, J. C. Lin, J. Ko
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83e122046d295877882cc95e0f129314
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.d-9-4
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.d-9-4
Autor:
H. S. Haung, S. Y. Chen, H. C. Lin, H. W. Chen, T. F. Lei, S. Chou, J. Ko, J. C. Lin, Z. W. Jhou
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf90e1a8d12629ba6c06a39d2e3e7275
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.p3-3
https://doi.org/10.7567/ssdm.2005.p3-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.