Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"H. Petiton"'
Autor:
Nathalie Vulliet, S. Cremer, J. Durel, Frederic Boeuf, Enrico Temporiti, C. Durand, C. Baudot, H. Petiton
Publikováno v:
2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS).
Process flow and device performances of an industrial 300mm Silicon Photonics platform demonstrating 25Gb/s per data lane when associated with 55nm BICMOS are presented. Advanced designs targeting 56Gb/s and using this platform are introduced. Device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3e5d55b32062309f5d88dfe8074a98a0
https://doi.org/10.1109/csics.2016.7751074
https://doi.org/10.1109/csics.2016.7751074
Autor:
D. Rigamonti, Matteo Traldi, Alexis Farcy, Mark Andrew Shaw, Sebastien Cremer, Peng Sun, D. Ristoiu, P. Le Maitre, B. Orlando, Massimo Fere, H. Petiton, B. Sautreuil, C. Zaccherini, Thierry Pinguet, L. Salager, Frederic Boeuf, Attila Mekis, Nathalie Vulliet, Luigi Verga, Y. Chi, C. Elemi, Enrico Temporiti, Jean-Robert Manouvrier, Sébastien Jan, Gianlorenzo Masini, Luca Maggi, J.F. Carpentier, Charles Baudot
Publikováno v:
OFC
A low cost 28Gbits/s Silicon Photonics platform using 300mm SOI wafers is demonstrated. Process, 3D integration of Electronic and Photonic ICs, device performance, circuit results and low cost packaging are discussed.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6644c089160eb02377f9bd87abab606d
https://doi.org/10.1364/ofc.2015.w3a.1
https://doi.org/10.1364/ofc.2015.w3a.1
Autor:
D. Pelissier-Tanon, Charles Baudot, D. Ristoiu, Lieven Verslegers, S. Joblot, Thierry Pinguet, H. Petiton, B. Orlando, Sebastien Cremer, Nathalie Vulliet, Attila Mekis, Francois Leverd, Frederic Boeuf, Sébastien Jan
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::82d2e90e8918f1a2d13e50b9dbe2fd3d
https://doi.org/10.7567/ssdm.2014.b-7-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2014.b-7-2
Autor:
Marc Vernet, H. Petiton, Frederic Lalanne, O. Goducheau, S. Gaillard, C. Jenny, Sebastien Cremer, E. Yesilada
Publikováno v:
2010 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference.
This paper deals with a new and low cost embedded DRAM (eDRAM) architecture. COLK (Capacitor Over Low K) cell with capacitor placed in the first and thick SiO 2 dielectric has been successfully integrated. 4Mb eDRAM testchip using this new architectu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::994a1faed2f900747073bf43d08d3fe5
https://doi.org/10.1109/essderc.2010.5618417
https://doi.org/10.1109/essderc.2010.5618417
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.