Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"H. Oyamatsu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Kishi, M. Yoshikawa, T. Nagase, H. Aikawa, S. Chung, J. Park, H. Kanaya, K. Park, G. Kim, M. Lee, K. Sunouchi, A. Yamamoto, K. Rho, K. Tsuchida, J. Yi, H. Kim, Y. Chun, S. Hong, H. Oyamatsu
Publikováno v:
2017 IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG).
Since the discovery of a theoretical idea of spin-transfer torque (STT) [1], STT-MRAM has attracted a great interest as a candidate of universal memory.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5163f69cca0ad68eab4d19c69ea5a7b
https://doi.org/10.1109/intmag.2017.8007931
https://doi.org/10.1109/intmag.2017.8007931
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2004 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop (IEEE Cat. No.04CH37530).
A yield simulator utilizing the extracted critical area and a SoC yield management system has been developed. This system drastically improved accuracy of SoC yield prediction and successfully extracted the critical areas of all layers of 0.18 /spl m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fcbca7adf3c8fcee1303f525c863ab26
https://doi.org/10.1109/asmc.2004.1309553
https://doi.org/10.1109/asmc.2004.1309553
Publikováno v:
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2004 ISBN: 9783709172124
Layout dependent stress induced effects on current drivability of 90nm node CMOS devices have been modeled by both performing stress modeling in process simulation and device simulation with stress dependent mobility model. It has been demonstrated t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ca8e4498da62e3aaa0df32ace0b61525
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-0624-2_15
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-0624-2_15
Autor:
Takaharu Itani, H. Oguma, Yoshiaki Toyoshima, Toshihiko Iinuma, Hidemi Ishiuchi, H. Fukui, Atsushi Murakoshi, Akira Hokazono, M. Fujiwara, Satoshi Inaba, T. Kudo, T. Shimizu, S. Matsuda, Y. Watanabe, Mariko Takayanagi, Atsushi Azuma, S. Mori, Shunko Magoshi, K. Suguro, K. Adachi, S. Taniguchi, Yasuhiro Katsumata, T. Matsushita, Hideki Shibata, K. Okano, H. Oyamatsu, H. Suto, Kazuya Ohuchi
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224).
The 35 nm gate length CMOS devices with oxynitride gate dielectric and Ni salicide have been fabricated to study the feasibility of higher performance operation. Nitrogen concentration in gate oxynitride was optimized to reduce gate current I/sub g/
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d8a0590867ef771806f1709e0c6c1c0f
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979590
https://doi.org/10.1109/iedm.2001.979590
Publikováno v:
2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104).
We investigated the analog performance of a 0.11 /spl mu/m CMOS under a low supply voltage. In order to avoid flicker noise degradation under the low supply voltage, an epitaxial channel MOSFET without halo implantation was shown to be effective.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8bd979066a983134fe491220bad88ce2
https://doi.org/10.1109/vlsit.2000.852809
https://doi.org/10.1109/vlsit.2000.852809
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.