Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"H. Ochmizu"'
Autor:
K. Sukegawa, T. Yamamoto, H. Kudo, T. Kubo, T. Sukegawa, H. Ehara, H. Ochmizu, M. Fukuda, Y. Mizushima, Y. Shimoda, M. Tajima, M. Oryoji, Y. Nakata, H. Watatani, H. Sakai, A. Asneil, S. Sakai, H. Matsuyama, H. Kurata, A. Tsukune, N. Shimizu, T. Futatsugi, S. Satoh, M. Kase, T. Sugii
Publikováno v:
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology.
We present a 45 nm LSTP platform featuring a low-leakage/low-cost transistor and full-NCS/dual damascene Cu interconnects. By applying "MSA + spike-RTA" to annealing process, Ion at Vd=1.2 V are 0.54 mA/um at Ioff=40 pA/mum for nMOS and 0.22mA/um at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e583977bf530adee7a8d50afcf61ef9a
https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339681
https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339681
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.