Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"H. Marchman"'
Autor:
H. Marchman, Rand Cottle, S. Hadisutjipto, John G. Maltabes, Scott Mackay, J. Brown, D. Taylor
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The efficacy of currently available repair techniques has been assessed for a wide variety of defect types encountered on advanced lithographic masks. Focused ion beam (FIB) with gas-assisted etching and deposition, electron beam induced chemical pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5980d057027fc933b9b69e8655e15de8
https://doi.org/10.1117/12.681862
https://doi.org/10.1117/12.681862
Autor:
Z. Luo, H. Marchman, J. D. Byers, D. Soltz, Srinivas Vedula, Amir Azordegan, Gian Lorusso, Luca Grella, G. Storms, J. Varner, L. H. A. Leunissen, R. Kuppa
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
CD-SEM is currently poised as the primary method of choice for CD metrology because of its nanometer scale spatial resolution, superior precision, and relatively high throughput. However, issues still continue to emerge that can threaten the measurem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8ce13efbcd42190ea7f5a39e5fa4937
https://doi.org/10.1117/12.656599
https://doi.org/10.1117/12.656599
Autor:
H. Marchman
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The ability to measure profiles of high-aspect structures is important for the development of new integrated circuit fabrication processes. Delays in the development learning cycle frequently occur due to turn-around time associated with the logistic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c67fb04234e24613b3315bc61b283390
https://doi.org/10.1117/12.656971
https://doi.org/10.1117/12.656971
Autor:
Y. Hsu, A. Ralston, Girish A. Dixit, E. Zielinski, R. Havemann, Abha Singh, H. Marchman, J. Schlesinger, C. Jin, M. Jain
Publikováno v:
The 1998 international conference on characterization and metrology for ULSI technology.
Manufacturing of Ultra-Large-Scale-Integration (ULSI) semiconductor devices will likely require feature sizes as small as 150 nm by the year 2001, with an overlay accuracy of 55 nm, a critical dimension (CD) control of 12 nm and a precision of 2 nm.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed37f727bfdaf2a89916ab5851bfd3e4
https://doi.org/10.1063/1.56905
https://doi.org/10.1063/1.56905
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 20:2690
Measurements of electrical test structure resistances have traditionally served as the primary metrics for judging the merit of new and existing focused ion beam (FIB) chip repair processes. However, more understanding of physical changes occurring o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd36bdbbe65d5179261450f3b3a9f89d
https://doi.org/10.1116/1.1524982
https://doi.org/10.1116/1.1524982
Autor:
S. Murtaza, Keith A. Joyner, Sean C. O'Brien, Maureen A. Hanratty, Kelly J. Taylor, Doug Mercer, I.-C. Chen, Amitava Chatterjee, A. L. Esquivel, P. Mei, Somnath S. Nag, H. Marchman, D. Rogers, John Kuehne, G. Hames, S. Ashburn, Iqbal Ali, S. P. Kwok, Mark E. Mason
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 15:1936
This article presents a study of the issues in integrating the pattern, fill, planarization, and surface cleanup processes to design a shallow trench isolation (STI) flow suitable for 0.25 μm complementary metal–oxide semiconductor technologies. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::53c30d83e208cad68d02139ed7df4695
https://doi.org/10.1116/1.589581
https://doi.org/10.1116/1.589581
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.