Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"H. Leninger"'
Autor:
M. Denais, J. Todeschini, R.A. Bianchi, Damien Lenoble, Laurent Pain, Y. Laplanche, Franck Arnaud, H. Brut, M. Broekaart, Nicolas Planes, V. Vachellerie, M. Woo, A. Beverina, Pierre Morin, R. Difrenza, Bertrand Borot, C. Perrot, H. Leninger, Francois Wacquant, D. Barge, David Roy, F. Salvetti, D. Ceccarelli, N. Emonet, V. DeJonghe, P. Stolk, B. Tavel, B. Duriez, L. Vishnobulta, I. Guilmeau, Y. Loquet, Frederic Boeuf, T. Devoivre, N. Bicais, J.P. Reynard, M. Jurdit, K. Rochereau, R. Palla, F. Judong, M. Bidaud, P. Vannier, D. Reber
Publikováno v:
Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004..
A 65nm CMOS platform employing General Purpose (GP) and Low Power (LP) devices and 0.5 /spl mu/m/sup 2/ 6T-SRAM bit-cells was developed using both conventional design and low cost CMOS process flow incorporating a strained silicon solution. Fully wor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4ab775f921dd2f959ddab925ffe69424
https://doi.org/10.1109/vlsit.2004.1345363
https://doi.org/10.1109/vlsit.2004.1345363
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.