Zobrazeno 1 - 10
of 107
pro vyhledávání: '"H. L. Meng"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Y. B. Duan, J. Yong, H. L. Meng, B. Yang, X. L. Hu, X. B. Sun, X. Y. Feng, H. Zhang, Y. P. Xu
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1346:012034
The crucial point of the UHF detection is the UHF sensor, which affects the sensitivity and anti-interference ability of the UHF detection. In this paper. the introduction of 5 different kinds of internal sensors of the Ultra High frequency (UHF) tec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e97ff7918bc25d8ea9e57e4b604a0ac8
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1346/1/012034
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1346/1/012034
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1346:012035
In this paper, a new BP neural network has been built with GA algorithm, which possesses high effectivity, parallel processing ability and global search feature, in order to overcome the original shortcomings such as the low convergence rate and the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a7567bdc99289c8f02df2d825e1ddde
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1346/1/012035
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1346/1/012035
Autor:
M. L. Liu, X. B. Sun, Y. P. Xu, B. Yang, X. Y. Feng, X. L. Hu, J. Yong, H. L. Meng, Y. B. Duan
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 1346:012033
This paper makes a detailed introduction of the software system which is used to detect the partial discharge in GIS online and describe its superiority with open and robust features in distributed network acquisition as well as its great real-time p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::651a5511d65fc8ab3aa11029295f92c6
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1346/1/012033
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1346/1/012033
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 73:955-960
Short‐time/low‐temperature thermal oxidation is known to lead to point defect perturbations in silicon. This study investigates the interaction between oxidation‐induced point defects and type II dislocation loops intentionally introduced in si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e60bd5d7eaa4e3d8e6a72b6674545b68
https://doi.org/10.1063/1.353309
https://doi.org/10.1063/1.353309