Zobrazeno 1 - 10
of 752
pro vyhledávání: '"H. Lüth"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Torsten Reuter, Venugopal Santhanam, Michael Noyong, Günter Schmid, H. Lüth, Ulrich Simon, H. Slomka, Kerstin Blech, M. I. Lepsa, Dieter Jäger
Publikováno v:
Colloid and Polymer Science. 286:1029-1037
We report on first tries in generating a system of 20-nm-wide parallel bars as templates for conductive gold wires, decorated with Au55(PPh3)12Cl6 clusters. The electrical characterization of these quasi one-dimensional arrangements shows pronounced
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::519b7935b3497cc28e87edc9aead452f
https://doi.org/10.1007/s00396-008-1866-2
https://doi.org/10.1007/s00396-008-1866-2
Publikováno v:
Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics. 9:66-69
This paper describes measurements of the velocity of electrons at electric fields up to 100 kV/cm in GaN/AlGaN heterostructures. In order to avoid the Joule heating effect, a pulse technique with a time sweep of 10-30 ns was used. The experimental re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27ca9a10595fc45618b01c0080dbf12d
https://doi.org/10.15407/spqeo9.03.066
https://doi.org/10.15407/spqeo9.03.066
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 75:69-77
Some examples of interface studies are reported which show their close link with progress in III–V modern semiconductor device physics and technology. The surface electronic properties investigated in-situ by reflectance anisotropy spectroscopy dur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::773e829ac03966d1bcee8654ab609bc6
https://doi.org/10.1007/s003390101056
https://doi.org/10.1007/s003390101056