Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"H. Kwinten"'
Autor:
Peter Zandbergen, D. Van Steenwinckel, Jeroen Herman Lammers, H Kwinten, Casper A. H. Juffermans
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 18:37-41
This work describes approaches in the field of process extensions, complementary to the more traditional optical extension techniques, to enable the extension of optical lithography to 45-nm technologies.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e497dd58639fc42b08951ec46edaf2a9
https://doi.org/10.1109/tsm.2004.841755
https://doi.org/10.1109/tsm.2004.841755
Autor:
Olaf Wunnicke, Willem Frederik Adrianus Besling, R.A.M. Wolters, L. van Leuken-Peters, J.T.M. van Beek, M. A. A. in 't Zandt, Martijn Goossens, H. Kwinten, Peter G. Steeneken, K. Reimann, Hilco Suy, V. Aravindh
Publikováno v:
2011 IEEE 24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems.
We report on small, low-ohmic RF MEMS switches with a circular membrane actuator design. A low temperature process is used to manufacture both the MEMS switch as well as its hermetic, thin-film package resulting in a very small footprint device. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3886c42a417e67e84d22151fa56d547a
https://doi.org/10.1109/memsys.2011.5734544
https://doi.org/10.1109/memsys.2011.5734544
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Recently, we have shown that process effects induced by extending the post-exposure bake time ("overbake") in the process flow of chemically amplified photoresists can lead to significant improvements in Depth-of-Focus (DOF) and small line printing c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fdd42cfb4c7301a32ad2163b34fd2110
https://doi.org/10.1117/12.532695
https://doi.org/10.1117/12.532695
Autor:
H Kwinten, David Van Steenwinckel, Ad Leeuwestein, Joseph J. M. Braat, Peter Dirksen, Augustus J. E. M. Janssen
Publikováno v:
Proceedings Optical Microlithography XVII, 24-27 January 2004, Santa Clara, California, 150-159
STARTPAGE=150;ENDPAGE=159;TITLE=Proceedings Optical Microlithography XVII, 24-27 January 2004, Santa Clara, California
Proceedings of SPIE, 2004 vol. 5377
STARTPAGE=150;ENDPAGE=159;TITLE=Proceedings Optical Microlithography XVII, 24-27 January 2004, Santa Clara, California
Proceedings of SPIE, 2004 vol. 5377
This study presents an experimental method to determine the resist parameters that are at the origin of a general blurring of the projected aerial image. The resist model includes the effects of diffusion in the horizontal plane and a second cause fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::16f824b8860cac4340bd3fa224a8fce9
https://research.tue.nl/en/publications/c7ed4cc5-826b-4e7d-b569-db3bb0cbe25e
https://research.tue.nl/en/publications/c7ed4cc5-826b-4e7d-b569-db3bb0cbe25e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.