Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"H. Kilambi"'
Autor:
Patel Reken, P. Yashar, C. Pelto, I. Tsameret, C. Petersburg, J. Longun, I. Jin, D. Ingerly, L. Rockford, Hsiao-Kang Chang, Conor P. Puls, P. Plekhanov, Muhammet Uncuer, Kevin J. Fischer, H. Kilambi
Publikováno v:
2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC).
We describe here performance enhancement to Intel's 14nm high-performance logic technology interconnects and back end stack and introduce the SOC technology family of interconnects. Enhancement includes improved RC performance and intrinsic capacitan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5573af9d583436fc7bb7f7253372b3d1
https://doi.org/10.1109/iitc-amc.2016.7507637
https://doi.org/10.1109/iitc-amc.2016.7507637
Autor:
J. Lee, P. Bai, T. Leo, S. K.-Y. Shi, P. Vandervoorn, D. Ingerly, L. Rockford, Ramaswamy Rahul, Y.-W. Chen, Nidhi Nidhi, F. Al-Amoody, M. Jang, K. Byon, T. Rana, Curtis Tsai, A. Zainuddin, C. Quincy, Eric Karl, L. Yang, Hafez Walid M, Chetan Prasad, C. Petersburg, Olac-Vaw Roman W, K. Komeyli, A. Kumar, Chang Hsu-Yu, Anand Subramaniam, N. L. Dias, Tsung-Yuan Chang, H. Kilambi, K. Phoa, Pei-Chi Liu, Chen-Guan Lee, C.-H. Jan
Publikováno v:
VLSIC
A leading edge 14 nm SoC platform technology based upon the 2nd generation Tri-Gate transistor technology [5] has been optimized for density, low power and wide dynamic range. 70 nm gate pitch, 52 nm metal pitch and 0.0499 um2 HDC SRAM cells are the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3ad023e07edda7779db811903bcb46fb
https://doi.org/10.1109/vlsic.2015.7231380
https://doi.org/10.1109/vlsic.2015.7231380
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.