Zobrazeno 1 - 10
of 444
pro vyhledávání: '"H. K. Gao"'
Publikováno v:
Zhonghua yi xue za zhi. 102(48)
Publikováno v:
Zhonghua xin xue guan bing za zhi. 48(3)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science Letters. 14:1004-1006
Publikováno v:
Journal of Materials Science Letters. 13:1694-1696
Midgap deep levels have enjoyed a special status in semiconductor technology ever since Shockley and Read [1] and Hall [2] first pointed out their role as most efficient recombination centres on the basis of kinetic considerations. Several midgap lum
Autor:
Yang, Chen1,2 (AUTHOR), Wang, Kexiang1 (AUTHOR), Lyu, Wei1 (AUTHOR) wlyu@dhu.edu.cn, Liu, He1 (AUTHOR), Li, Jiaqiang1 (AUTHOR), Wang, Yue1 (AUTHOR), Jiang, Ruyu1 (AUTHOR), Yuan, Jiayin2 (AUTHOR) jiayin.yuan@mmk.su.se, Liao, Yaozu1 (AUTHOR) yzliao@dhu.edu.cn
Publikováno v:
Advanced Science. 5/22/2024, Vol. 11 Issue 19, p1-30. 30p.