Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"H. J. Hung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. J. Hung, Y. H. Chai
Publikováno v:
Journal of Bridge Engineering. 21
Current practice in California requires up to a 60-day waiting period for closure pour after falsework release for both staged construction and bridge widening. The relatively long waiting period is intended to mitigate damage to the connected bridge
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52ec7f323a10584417e3b093b5f5a37b
https://doi.org/10.1061/(asce)be.1943-5592.0000875
https://doi.org/10.1061/(asce)be.1943-5592.0000875
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 54:609-611
This paper reports the shallow trench isolation (STI)-related narrow channel effect (NCE) on the kink behaviour of the 40 nm PD SOI NMOS device. As verified by the experimentally measured data, with a smaller channel width, the onset of the kink effe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7a05d1ef9f16a4c714d2b9e00c149065
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.11.001
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.11.001
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 50:607-609
This paper reports an analysis of floating body effect related gate tunneling leakage current behavior of the 40 nm PD SOI NMOS device using bipolar/MOS equivalent circuit approach. As confirmed by the experimentally measured data, the bipolar/MOS eq
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e4c66013508ee27ee319b188fa2b5c2b
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.01.015
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.01.015
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2009 International Semiconductor Device Research Symposium.
Due to the buried oxide structure, SOI MOS devices may suffer from floating-body related kink effects [1]. For nanometer MOS devices with a thin gate oxide, gate tunneling leakage current cannot be neglected [2]. In this paper, analysis of the floati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::161db8a2d0c83a51cb5b89f0b4bc7915
https://doi.org/10.1109/isdrs.2009.5378214
https://doi.org/10.1109/isdrs.2009.5378214