Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"H. I. Jeon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B. 52:16353-16356
A magnetophotoluminescence technique is adopted to study the exciton formation processes in ${\mathrm{Al}}_{\mathit{x}}$${\mathrm{Ga}}_{1\mathrm{\ensuremath{-}}\mathit{x}}$As/GaAs multi-quantum-well structures, with the cyclotron periods of carriers
Magneto‐photoluminescence of acceptors near the interfaces of AlxGa1−xAs/AlyGa1−yAs heterostructures
Autor:
J. B. Zhu, Y. G. Shin, B. C. Lee, Eun-Kyung Suh, H. I. Jeon, H. J. Lee, K. Y. Lim, Y. G. Hwang, S. S. Cha
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 78:1975-1979
Photoluminescence of AlxGa1−xAs/AlyGa1−yAs heterostructures has been performed in presence of high magnetic fields. Under the magnetic field the broad carbon related peak becomes resolved into several narrow peaks. Experimental results and a theo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M.A.G. Abushagur, H.-I. Jeon
Publikováno v:
[1988] Proceedings. The Twentieth Southeastern Symposium on System Theory.
The authors propose a digital optical arithmetic processor based on symbolic substitution using holographic matched and space-invariant filters. The proposed system performs Boolean logic, binary addition, and subtraction in a highly parallel manner,
Publikováno v:
Physical Review B. 50:18644-18646
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 65:333-335
We studied the influence of the sample structure on the photoluminescence intensity in terms of carrier diffusion and transfer phenomena in InxGa1−xAs/GaAs multi‐quantum‐well structures. Carrier injection from the barrier, cap, or buffer layers
Autor:
Y. H. Seo, H.‐J. Lee, H. I. Jeon, D. H. Oh, K. S. Nahm, Y. H. Lee, E.‐K. Suh, H. J. Lee, Y. G. Kwang
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 62:1812-1814
Porous silicon layers prepared by anodic dissolutions of silicon wafers in aqueous HF solutions reveal either crystalline phase or intermediate phase between microcrystalline and amorphous phases, depending on the anodization conditions. The configur
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.