Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"H. Haruguchi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vascular Surgery. 73:343
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8dcb759c7456832878a790746557841
https://doi.org/10.1016/j.jvs.2020.10.007
https://doi.org/10.1016/j.jvs.2020.10.007
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Industry Applications. 38:168-174
Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) based on the non-punch-through (NPT) design approach exhibit excellent safe operating area (SOA) and short-circuit endurance, a positive temperature coefficient of on-state voltage over the operating current
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4d346377d21752c7cc905e3aac8be4fb
https://doi.org/10.1109/28.980372
https://doi.org/10.1109/28.980372
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 43:490-500
Thermal and electrical destructions of n-ch 600 V punchthrough type IGBTs in F.B.SOA are investigated by experiments and simulations, The cause of the thermal destruction is the thermal disappearance of built-in potential of p-n junction between the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bbde47608836709dacfeb4be3925065
https://doi.org/10.1109/16.485667
https://doi.org/10.1109/16.485667
Autor:
K Tanabe, T. Tojimbara, I. Nakajima, N Tokumoto, H Haruguchi, T. Agishi, Masahiro Abe, Shohei Fuchinoue, S Fujita
Publikováno v:
Transplantation Proceedings. 30:3083-3085
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::618fbf227f1b1e02706ad90a2ec6946b
https://doi.org/10.1016/s0041-1345(98)00941-5
https://doi.org/10.1016/s0041-1345(98)00941-5
Autor:
Hiroyasu Hagino, Y. Tomomatsu, I. Takata, Yamashita Junichi, H. Haruguchi, Hideki Takahashi, Akio Uenishi
Publikováno v:
[1993] Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs.
The short-circuit destruction of class n-ch 600-V IGBTs (insulated-gate bipolar transistors) is investigated experimentally and analyzed with the help of device simulation, focusing on three major destruction modes (power constant, energy constant, a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::014c328c407915fff02e5e0c942d3352
https://doi.org/10.1109/ispsd.1993.297103
https://doi.org/10.1109/ispsd.1993.297103