Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"H. Hadziosmanovic"'
Autor:
John Ortega, P. Xiao, H. Hadziosmanovic, R. Jiang, D. Schroeder, J. Palmer, I. Tsameret, M. Klessens
Publikováno v:
IRPS
Using a typical Semiconductor Parameter Analyzer (SPA) for semiconductor reliability stress tests such as Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB), bias temperature instability (BTI), Hot Carrier Injection (HCI), has limitations. The SPA tends to b
Publikováno v:
IRPS
In the Intel reliability stress lab, various transistor testing methodologies are being developed to meet the evolving requirements of new Intel technologies. To better control for voltage drop in metal routing, MOSFETs structures used for reliabilit
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.