Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"H. Foisner"'
Publikováno v:
Applied Surface Science. 252:271-277
In the last decade ion implantation of common dopants in silicon has been almost full characterised. However, data of inner transition elements are based on few measurements or even extrapolations. Our investigations focus on erbium, an upcoming dopa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f6148e4ffac7f1ed3a3850b475c423e
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.02.019
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2005.02.019
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.