Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"H. F. Chuang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 83:366-371
We studied the thermal reaction of Pd/In0.52Al0.48As contacts using capacitance–voltage (C–V), current–voltage, Auger electron spectroscopy, and x-ray diffraction analyses and compared the results to those for Pd/Al0.25Ga0.75As and Pd/In0.53Ga0
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::446c65ca63ae343c83e13a05c6e8a834
https://doi.org/10.1063/1.366692
https://doi.org/10.1063/1.366692
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 80:2891-2895
Pd/AlxGa1−xAs Schottky contacts and their thermal reactions are studied by capacitance–voltage measurements, current–voltage measurements, and x‐ray diffraction. The thickness of AlxGa1−xAs consumed by the Pd/AlxGa1−xAs reaction during an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30c1dbf39d9846af01390bc021ddeb14
https://doi.org/10.1063/1.363141
https://doi.org/10.1063/1.363141
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 24:767-772
Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements were used to study the thermal reaction of Pd/GaAs contacts and Ni/GaAs contacts. The thickness of GaAs consumed by the metal/GaAs reaction during annealing was calculated from C-V anal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f883718557051c373f27c356a7981d17
https://doi.org/10.1007/bf02659738
https://doi.org/10.1007/bf02659738