Zobrazeno 1 - 10
of 343
pro vyhledávání: '"H. Ezzaouia"'
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 8, Iss , Pp 422-428 (2018)
This paper presents a detailed investigation of the correlation between micro-structural, optical and thermal properties of a mixture constituted of NaA zeolite and Al2O3 alumina with different portions at various compacting pressures. A comprehensiv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b0cee5c1c3fa497d9a7999f5874f3e30
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 7, Iss , Pp 4189-4194 (2017)
Gettering is a process by which unwanted impurities are removed by providing an alternative location, this method used by many researchers for the purification of silicon wafers or powder. In this work, this method is used for the first time to remov
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2062382350bc4426a1201d8d65e963c8
Publikováno v:
International Journal of Photoenergy, Vol 2012 (2012)
We have studied the optical properties of nanocrystalline silicon (nc-Si) film deposited by plasma enhancement chemical vapor deposition (PECVD) on porous aluminum structure using, respectively, the Photothermal Deflection Spectroscopy (PDS) and Phot
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ef65746ad3bd42d4af2681d5b6b06348
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Selma Aouida, Khadija Hammedi, H. Ezzaouia, Rachid Ouertani, Consuelo Alvarez-Galvan, Marwa Dkhili, Marouan Khalifa
Publikováno v:
ChemistrySelect. 6:9382-9388
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::473a06781a741329fa0107fb02f7d58d
https://doi.org/10.1002/slct.202100215
https://doi.org/10.1002/slct.202100215
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Vincenzo Aglieri, H. Ezzaouia, N.E. Ben Ammar, Rasit Turan, R. Benabderrahmane Zaghouani, Hisham Nasser, Mohamed Barbouche
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 32:20598-20611
In this work, we report on the study of the electrical and optical properties of amorphous silicon carbide (a-SiC)-based Schottky diodes for optoelectronic applications. A significant decrease of reflectivity and an enhancement of the passivating pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a514e5a7cf64174b0820a4db4f7efd7
https://doi.org/10.1007/s10854-021-06570-6
https://doi.org/10.1007/s10854-021-06570-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N.E. Benammar, H. Ezzaouia, M. Barbouche, Rasit Turan, R. Benabderrahmane Zaghouani, Kamel Khirouni
Publikováno v:
The International Journal of Advanced Manufacturing Technology. 106:731-739
Impurities are of crucial interest in optoelectronic devices as they affect carrier lifetimes and electrical properties. In view of that, it is important to incorporate certain processing steps to reduce impurities effect on final devices. The aim of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a8ecbb605817b0b2dfda4a53d8aa3d4
https://doi.org/10.1007/s00170-019-04556-7
https://doi.org/10.1007/s00170-019-04556-7