Zobrazeno 1 - 10
of 393
pro vyhledávání: '"H. Eisele"'
Autor:
K. Ji, M. Schnedler, Q. Lan, F. Zheng, Y. Wang, Y. Lu, H. Eisele, J.-F. Carlin, R. Butté, N. Grandjean, R. E. Dunin-Borkowski, Ph. Ebert
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 1, p 016505 (2024)
Thermal healing of focused ion beam-implanted defects in GaN is investigated by off-axis electron holography in TEM. The data reveal that healing starts at temperatures as low as about 250 °C. The healing processes result in an irreversible transiti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f204c5c12cdf4c88a79ea0ccbeeab7ab
Publikováno v:
Atmospheric Chemistry and Physics, Vol 11, Iss 17, Pp 9343-9366 (2011)
Specific very dry high-ozone layers, starting roughly two days after the onset of high-pressure periods during the warm season, have been reproducibly observed in the middle and upper troposphere with the ozone lidar in Garmisch-Partenkirchen (German
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd7899c84fa247eca702c4cb264d1aca
Publikováno v:
Journal of vacuum science & technology / B 41(4), 044202 (2023). doi:10.1116/6.0002733
Journal of vacuum science & technology / B 41(4), 044202 (2023). doi:10.1116/6.0002733
Hydrogen exposure and annealing at 400 °C leads to a layer-by-layer etching of the n-doped GaAs(110) cleavage surface removing islands and forming preferenti
Hydrogen exposure and annealing at 400 °C leads to a layer-by-layer etching of the n-doped GaAs(110) cleavage surface removing islands and forming preferenti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e27a372c79ab38062c997c276ea529b0
Publikováno v:
2022 Compound Semiconductor Week (CSW).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M, Schnedler, T, Xu, I, Lefebvre, J-P, Nys, S R, Plissard, M, Berthe, H, Eisele, R E, Dunin-Borkowski, Ph, Ebert, B, Grandidier
Publikováno v:
Nano letters. 19(12)
A chemical short-range order is found in single monolayer InAs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Geburtshilfe und Frauenheilkunde. 76
Zielsetzung: Durch die zunehmende Sektiorate kommt es zu einer ansteigenden Komplikationsrate in den Folgeschwangerschaften. Die Haufigkeit einer Uterusruptur nach vorangegangener Uterusoperation wird mit 1 – 4% angegeben und betrifft uberwiegend d
Publikováno v:
Laboratory Animals. 39:111-115
There is a need for a device for improved management of the airway of small laboratory animals during general anaesthesia. This report introduces such a device, referred to here as the airway device (AD). The AD has some similarity to the laryngeal m