Výsledky vyhledávání

Ability of reflection high energy electron diffraction (RHEED) to observe structural modifications in ion-implanted and annealed GaAs

Autor: Marco Rossi, Dimitre Karpuzov, Gianfranco Vitali, M. Kalitzova, H. Budinov

Publikováno v: Journal of Materials Science. 26:3337-3342

GaAs 〈100〉 wafers were implanted and later annealed by using three different techniques: furnace thermal annealing (FTA), flash lamp (RTA) and low-power laser annealing (LPLA). The resulting modifications of the structure were studied by RHEED. T

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a090a8718c2cd37c307cfff26331b807
https://doi.org/10.1007/bf01124682

Zobrazit plný text záznamu

Low‐power pulsed‐laser annealing of implanted GaAs

Autor: Gianfranco Vitali, H. Budinov, M. Kalitzova, Marco Rossi, Dimitre Karpuzov

Publikováno v: Journal of Applied Physics. 69:3882-3885

Low‐power annealing by a pulsed laser is used to recover the structure of low‐dose implanted (100) GaAs crystals. Reflection high‐energy electron diffraction with variable glancing incidence is employed to detect the structural changes at diffe

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7cd5275ec4cf448363b9d9a748f0f250
https://doi.org/10.1063/1.348445

Zobrazit plný text záznamu

RHEED AND RBS ANALYSIS OF LOW-POWER LASER ANNEALED GAAS

Autor: M. Kalitzova, Gianfranco Vitali, H. Budinov, Marco Rossi, I. Katardjiev, Dimitre Karpuzov

〈100〉GaAs crystals were implanted with 140 keV Zn ions at random incidence and a dose of 1014 cm−2. Annealing by a low-power pulsed laser was used to recover the radiation damage. The samples were analysed by RHEED and RBS techniques. The effec

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d9ad0a615e07d8ab09975a22bff1d701
http://hdl.handle.net/11573/69794

Zobrazit plný text záznamu

Flash Lamp Annealing of Phosphorus-Implanted Silicon

Autor: R. Burkova, V. Stavrov, H. Budinov

Publikováno v: Physica Status Solidi (a). 114:K131-K134

Etude des proprietes physique et electrique du silicium dope par implantation ionique au phosphore et recuit par illumination flash. Les couches implantees sont completement activees sans diffusion notable. En utilisant des couches fortement dopees,

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40e4558b9827c9639e6af2dd4db39e42
https://doi.org/10.1002/pssa.2211140242

Zobrazit plný text záznamu

Computer simulated and channelling studies of damage distributions in phosphorus implanted silicon

Autor: Dimitre Karpuzov, H Budinov

Publikováno v: Vacuum. 38:995-997

Lattice disordering has been studied both experimentally by RBS-channelling measurements and theoretically by a Monte Carlo calculation technique. Single-crystal (100) silicon has been phosphorus implanted with an energy of 60 keV at room temperature

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd401fa090e2d7445f70647f429aabc4
https://doi.org/10.1016/0042-207x(88)90561-1

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání