Zobrazeno 1 - 10
of 173
pro vyhledávání: '"H. Bilgen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. S. Steckel, E. Josse, A. G. Pattantyus-Abraham, M. Bidaud, B. Mortini, H. Bilgen, O. Arnaud, S. Allegret-Maret, F. Saguin, L. Mazet, S. Lhostis, T. Berger, K. Haxaire, L. L. Chapelon, L. Parmigiani, P. Gouraud, M. Brihoum, P. Bar, M. Guillermet, S. Favreau, R. Duru, J. Fantuz, S. Ricq, D. Ney, I. Hammad, D. Roy, A. Arnaud, B. Vianne, G. Nayak, N. Virollet, V. Farys, P. Malinge, A. Tournier, F. Lalanne, A. Crocherie, J. Galvier, S. Rabary, O. Noblanc, H. Wehbe-Alause, S. Acharya, A. Singh, J. Meitzner, D. Aher, H. Yang, J. Romero, B. Chen, C. Hsu, K. C. Cheng, Y. Chang, M. Sarmiento, C. Grange, E. Mazaleyrat, K. Rochereau
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Euvrard, P. Lamontagne, C. Sart, S. Mermoz, E. Deloffre, Hélène Fremont, A. Jouve, Lucile Arnaud, H. Bilgen, Alexis Farcy, Yann Henrion, N. Bresson, M. Arnoux, Sandrine Lhostis, F. Andre, Joris Jourdon, V. Balan, S. Guillaumet, Stephane Moreau, Y. Exbrayat, J. Chossat, A-L. Martin, C. Charles, Daniel Scevola, S. Cheramy, D. Bouchu
Publikováno v:
Proceedings of IEDM 2018
Proceedings of IEDM 2018, 2018, San Francisco, United States
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2018, San Francisco, France. pp.7.3.1-7.3.4, ⟨10.1109/IEDM.2018.8614570⟩
Proceedings of IEDM 2018, 2018, San Francisco, United States
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2018, San Francisco, France. pp.7.3.1-7.3.4, ⟨10.1109/IEDM.2018.8614570⟩
Hybrid bonding is a high-density technology for 3D integration but further interconnect scaling down could jeopardize electrical and reliability performance. A study of the influence of hybrid bonding pitch shrinkage on a 3D stacked backside illumina
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a5c2f74963bc50461c8719aaaab34a68
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02517231
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02517231
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Turkish journal of haematology : official journal of Turkish Society of Haematology. 17(3)
A four year-old-girl with Diamond-Blackfan anemia (DBA) that was resistant to corticosteroid treatment and transfusion dependent underwent (bone marrow transplantation) BMT from HLA identical sibling. The patient was conditioned with busulfan and cyc