Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"H. Beckrich-Ros"'
Autor:
R. Prieto, Pascal Vivet, Jean Michailos, G. Savelli, Louis-Michel Collin, Jean-Philippe Colonna, H. Beckrich-Ros, Montse Vilarrubí, Julie Widiez, Perceval Coudrain, Luc G. Fréchette, K. Triantopoulos, M. Shirazi, Jérôme Barrau, Kremena Vladimirova, Q. Struss, Hassan Azarkish, Gerard Laguna
Publikováno v:
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, France. pp.15-16, ⟨10.1109/VLSIT.2018.8510677⟩
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, France. pp.15-16, ⟨10.1109/VLSIT.2018.8510677⟩
This paper describes evolutions of circuit environment to face an ever-increasing thermal challenge, from early design stage down to the final package. To illustrate this critical concern we give a portrayal of innovative technologies and concepts st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4c87c9d7139d2ebf0c281c3203a3ab34
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073365
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073365
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 21:132-139
Both reduction in device sizes and enhanced increase in current densities lead to concern about the impact of the self-heating effect on device electrical characteristics. Moreover, in power transistors applications, devices are connected in parallel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::db41a5655cc5697b688b0c69d7f94a3e
https://doi.org/10.1109/tsm.2008.2000272
https://doi.org/10.1109/tsm.2008.2000272
Autor:
Ph. Galy, Ghislain Troussier, D. Marin-Cudraz, Johan Bourgeat, Nicolas Guitard, Boris Heitz, Jean Jimenez, Alexandre Dray, H. Beckrich-Ros
Publikováno v:
ICICDT
BIMOS transistor is a useful device and now compliant in advanced CMOS technology. This device acts with high controlled current gain. Thus, it is an efficient candidate for Electrostatic Discharge (ESD) protection. Moreover it is well known that ESD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c61d5d8bdcc9937e78eb59f74c341945
https://doi.org/10.1109/icicdt.2012.6232878
https://doi.org/10.1109/icicdt.2012.6232878
Autor:
C. Raya, Didier Celi, F. Pourchon, C. Faure, H. Beckrich-Ros, B. Gautheron, J.P. Blanc, B. Reynard
Publikováno v:
2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
VDD reduction in advanced CMOS IC's push for reduced temperature stability spread of bipolar based BGR. To achieve this goal, a reliable extraction methodology for IC temperature coefficient is detailed. Based on corner lot measurements, a worst-case
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1f15b9e5fe16e6c7153f7365125f0f3
https://doi.org/10.1109/bipol.2007.4351864
https://doi.org/10.1109/bipol.2007.4351864
Publikováno v:
2007 69th ARFTG Conference.
This paper deals with HiCUM [1] and BSIM3V3.2.4 [2] large signal validation. On contrary with traditional approach that deals with output signal at fundamental and harmonics frequencies [3], this study focuses on IIP1 and IIP3 figures of merit (FoM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::21f9b2a0fb52c3c4a117a59f098bd1a9
https://doi.org/10.1109/arftg.2007.5456332
https://doi.org/10.1109/arftg.2007.5456332
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.