Zobrazeno 1 - 10
of 165
pro vyhledávání: '"H. G. Boyen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
APL Materials, Vol 2, Iss 8, Pp 081505-081505-8 (2014)
Organometal trihalide perovskite solar cells arguably represent the most auspicious new photovoltaic technology so far, as they possess an astonishing combination of properties. The impressive and brisk advances achieved so far bring forth highly eff
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/008c5ee618974ecf8985c70c04350e4c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Frigeri a, M. Serényi b, A. Csik c, N. Q. Khánh b, L. Nasi a, Z. Erdélyi d, D. L. Beke d, H.-G. Boyen e
Publikováno v:
Progress in Applied Surface, Interface, and Thin Film Science-Solar Renewable Energy News III (SURFINT-SREN III), pp. 29–30, Firenze, 14-18 May 2012
info:cnr-pdr/source/autori:C. Frigeri a, M. Serényi b, A. Csik c, N. Q. Khánh b, L. Nasi a, Z. Erdélyi d, D. L. Beke d, H.-G. Boyen e/congresso_nome:Progress in Applied Surface, Interface, and Thin Film Science-Solar Renewable Energy News III (SURFINT-SREN III)/congresso_luogo:Firenze/congresso_data:14-18 May 2012/anno:2012/pagina_da:29/pagina_a:30/intervallo_pagine:29–30
info:cnr-pdr/source/autori:C. Frigeri a, M. Serényi b, A. Csik c, N. Q. Khánh b, L. Nasi a, Z. Erdélyi d, D. L. Beke d, H.-G. Boyen e/congresso_nome:Progress in Applied Surface, Interface, and Thin Film Science-Solar Renewable Energy News III (SURFINT-SREN III)/congresso_luogo:Firenze/congresso_data:14-18 May 2012/anno:2012/pagina_da:29/pagina_a:30/intervallo_pagine:29–30
Hydrogen is the element of choice to passivate dangling bonds in amorphous and crystalline semiconductors, like Si, Ge and SiGe because of its single-electron atomic structure. By hydrogenation better electro-optical characteristics are obtained. Hyd
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::81854170aec3df3cbe6cb1bb8de74d24
http://www.cnr.it/prodotto/i/198198
http://www.cnr.it/prodotto/i/198198