Zobrazeno 1 - 10
of 515
pro vyhledávání: '"H Majima"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shuta Yamauchi, Y. Sasahara, K. Yamanaka, R. Imase, H. Majima, T. Hara, S. Endo, Yasuto Jin, A. Kobayashi, T. Ozawa, Y. Sakakibara, K. Yamazaki, O. Matsubara, T. Shinmura, Hiroyuki Shimada
Publikováno v:
Journal of Thoracic Oncology. 12:S2139-S2140
Publikováno v:
Annals of Physics. 326:3000-3012
We consider the one-dimensional motion of a particle immersed in a potential field U ( x ) under the influence of a frictional (dissipative) force linear in velocity ( − γ x ) and a time-dependent external force ( K ( t ) ). The dissipative system
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 101:24-27
Two types of extremely small MOSFETs in the 10 nanometer scale have been successfully fabricated and their transport properties are characterized mainly at room temperature. Both quantum confinement effects and single-electron charging effects are cl
Autor:
Shuta Yamauchi, T. Hara, R. Imase, A. Kobayashi, T. Ozawa, H. Majima, Yasuto Jin, K. Yamazaki, K. Yamanaka, T. Shinmura, Hiroyuki Shimada, Y. Sakakibara, O. Matsubara, S. Endo, Y. Sasahara
Publikováno v:
Journal of Thoracic Oncology. 12:S1954
Autor:
H. Majima, Y.D. Zheng, H. M. Bu, Toshiro Hiramoto, Hiroki Ishikuro, S. H. Gu, Yan Shi, X. L. Yuan
Publikováno v:
Applied Physics A. 71:133-136
The impact of device scaling on modern MOS technology is discussed in terms of the random telegraph signals (RTSs) and low-frequency noise in n-MOSFETs with gradually decreased channel widths. RTSs with very large amplitude (>60%) are observed in the
Publikováno v:
Journal of Photopolymer Science and Technology. 12:417-422
Single electron transistors and memories for VLSI applications are fabricated and their characteristics are intensively investigated. It is shown that single electron transistors operating at room temperature are affected by quantum confinement effec