Zobrazeno 1 - 10
of 326
pro vyhledávání: '"H K, Hsu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 112:121-125
The replacement metal gate (RMG) defectivity control is very challenging for high-k metal gate (HKMG) RMG chemical mechanical polishing (CMP) processes. In this study, three major defect types, including fall on particle, micro-scratch and corrosion,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8d7dd30e3e1852f20d235c6ec17d3986
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.02.017
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.02.017
Autor:
J. Y. Wu, Chi-Mao Hsu, C. L. Yang, H. K. Hsu, Welch Lin, Teng-Chun Tsai, R. P. Huang, J. F. Lin, Hung-Chin Huang, M. C. Tsai
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 106:56-62
The fundamental film properties and micro-structures of the different aluminum (Al) metal layers are evaluated to fabricate a replacement metal gate (RMG) device for the high-k metal gate (HKMG) application at 28nm node. A PVD Al fill-in metal deposi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69c58e9d747b29e89534f199b9389d4b
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.02.016
https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.02.016
Autor:
Y. H. Hsien, C. L. Yang, Teng-Chun Tsai, Welch Lin, J. Y. Wu, Chuck Chen, H. K. Hsu, R. P. Huang
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 92:19-23
The replacement metal gate (RMG) height range and defectivity (fall on particle, Al residue, corrosion and micro-scratch) performance controls are very challenging for high-k metal gate (HKMG) RMG chemical mechanical polishing (CMP) processes. In thi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4df9d531bf0ce15f34e5a232797b276b
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.013
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.013