Zobrazeno 1 - 10 of 41 pro vyhledávání: '"H K, Gao"'
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition, Part II: 1.13 eV photoluminescence emission
Autor: Jie Yu, Jiachang Liang, Shi Huang, Xiao Liu, X. A. Su, Ying Gao, H. K. Gao, J. L. Zhao
Publikováno v: Journal of Materials Science Letters. 13:1694-1696
Midgap deep levels have enjoyed a special status in semiconductor technology ever since Shockley and Read [1] and Hall [2] first pointed out their role as most efficient recombination centres on the basis of kinetic considerations. Several midgap lum
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c13e7e202cdfc87ed4d21c198e236fd
https://doi.org/10.1007/bf00451743
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje