Zobrazeno 1 - 10
of 244
pro vyhledávání: '"H Jeung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Jung, C. Kim, H. Kim, C. Lee, H. Lee, W. Bae, H. Jeung, D. Zang, S. Park, I. Hwang, S. Rha, H. Chung
Publikováno v:
Annals of Oncology. 32:S206
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::71690d3b11088f59e1a167acb36a7f2b
https://doi.org/10.1016/j.annonc.2021.05.034
https://doi.org/10.1016/j.annonc.2021.05.034
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Environmental Science and Sustainable Development.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a745f33fcc84c99ded182e7469d14851
https://doi.org/10.1142/9789814723039_0042
https://doi.org/10.1142/9789814723039_0042
Publikováno v:
Environmental Science and Sustainable Development.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::153ff597b674059c5c4048218756588c
https://doi.org/10.1142/9789814723039_0009
https://doi.org/10.1142/9789814723039_0009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 83:328-335
This study examined the plasma etching characteristics of ZnO thin films etched in BCl"3/Ar, BCl"3/Cl"2/Ar and Cl"2/Ar plasmas with a positive photoresist mask. The ZnO etch rates were increased in a limited way by increasing the gas flow ratio of th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93ffdbdc38e8cefae33cbbeb46996a35
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.09.007
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.09.007