Zobrazeno 1 - 10
of 1 673
pro vyhledávání: '"H H, Cheng"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 44:364-367
Autor:
H.-H. Cheng, Y.-C. Shao, C.-Y. Lin, T.-W. Chiang, M.-C. Chen, T.-Y. Chiu, Y.-L. Huang, C.-C. Chen, C.-P. Chen, F.-F. Chiang
Publikováno v:
Techniques in Coloproctology.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 28:1-11
Ge1-xSnx photodetectors (PDs) have emerged as a new type of mid-infrared (MIR) CMOS-compatible PDs for a wide range of applications. Here we present a comprehensive theoretical study to evaluate the achievable performance of Ge1-xSnx p-i-n homojuncti