Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"H Bentmann"'
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 16, Iss 4, p 045017 (2014)
We report on a combined low-temperature scanning tunneling spectroscopy (STS), angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES), and density functional theory (DFT) investigation of the $(\sqrt{3}\times \sqrt{3})$ R 30°Pb/Ag(111) surface alloy whic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af7b5cc775a644f58e7155a512738124
Autor:
M. Ünzelmann, H. Bentmann, T. Figgemeier, P. Eck, J. N. Neu, B. Geldiyev, F. Diekmann, S. Rohlf, J. Buck, M. Hoesch, M. Kalläne, K. Rossnagel, R. Thomale, T. Siegrist, G. Sangiovanni, D. Di Sante, F. Reinert
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 12, Iss 1, Pp 1-7 (2021)
Weyl semimetals exhibit Berry flux monopoles in momentum-space, but direct experimental evidence has remained elusive. Here, the authors reveal topologically non-trivial winding of the orbital-angular-momentum at the Weyl nodes and a chirality-depend
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7a923d644c1945b89ba30c7791300355
Autor:
J. Schusser, H. Bentmann, M. Ünzelmann, T. Figgemeier, C.-H. Min, S. Moser, J. N. Neu, T. Siegrist, F. Reinert
Publikováno v:
Physical review letters 129(24), 246404 (2022). doi:10.1103/PhysRevLett.129.246404
Physical review letters 129(24), 246404 (2022). doi:10.1103/PhysRevLett.129.246404
The electronic structure of Weyl semimetals features Berry flux monopoles in the bulk and Fermi arcs at the surface. While angle-resolved photoelectron spectrosco
The electronic structure of Weyl semimetals features Berry flux monopoles in the bulk and Fermi arcs at the surface. While angle-resolved photoelectron spectrosco
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::65ea60f0e4f4864d5333cd0f584a5e6f
https://doi.org/10.1103/physrevlett.129.246404
https://doi.org/10.1103/physrevlett.129.246404
Autor:
P. Kagerer, C. I. Fornari, S. Buchberger, T. Tschirner, L. Veyrat, M. Kamp, A. V. Tcakaev, V. Zabolotnyy, S. L. Morelhão, B. Geldiyev, S. Müller, A. Fedorov, E. Rienks, P. Gargiani, M. Valvidares, L. C. Folkers, A. Isaeva, B. Büchner, V. Hinkov, R. Claessen, H. Bentmann, F. Reinert
Inducing a magnetic gap at the Dirac point of the topological surface state (TSS) in a 3D topological insulator (TI) is a route to dissipationless charge and spin currents. Ideally, magnetic order is present only at the surface and not in the bulk, e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::914e9f5318f49aa331ae83818dbc111a
http://arxiv.org/abs/2207.14421
http://arxiv.org/abs/2207.14421
Autor:
C. I. Fornari, P. H. O. Rappl, S. L. Morelhão, T. R. F. Peixoto, H. Bentmann, F. Reinert, E. Abramof
Publikováno v:
APL Materials, Vol 4, Iss 10, Pp 106107-106107-6 (2016)
Ex situ analyses on topological insulator films require protection against surface contamination during air exposure. This work reports on a technique that combines deposition of protective capping just after epitaxial growth and its mechanical remov
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eb28d593e3cc429b8971bf57a261a567
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. A. Kawata, C. I. Fornari, P. Kagerer, J. Heßdörfer, H. Bentmann, F. Reinert, A. K. Okazaki, P. H. O. Rappl, E. Abramof
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 131:085302
We report here on the properties of topological crystalline insulator Pb0.5Sn0.5Te epitaxial films doped with bismuth at levels from 0% (undoped) to 0.15%. The undoped film exhibits a p-type character due to metal vacancies. As the doping level rises
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::740bf14c7c920719c18be6c2c592c443
https://doi.org/10.1063/5.0080329
https://doi.org/10.1063/5.0080329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. M. Otrokov, I. I. Klimovskikh, H. Bentmann, D. Estyunin, A. Zeugner, Z. S. Aliev, S. Gaß, A. U. B. Wolter, A. V. Koroleva, A. M. Shikin, M. Blanco-Rey, M. Hoffmann, I. P. Rusinov, A. Yu. Vyazovskaya, S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, V. M. Kuznetsov, F. Freyse, J. Sánchez-Barriga, I. R. Amiraslanov, M. B. Babanly, N. T. Mamedov, N. A. Abdullayev, V. N. Zverev, A. Alfonsov, V. Kataev, B. Büchner, E. F. Schwier, S. Kumar, A. Kimura, L. Petaccia, G. Di Santo, R. C. Vidal, S. Schatz, K. Kißner, M. Ünzelmann, C. H. Min, Simon Moser, T. R. F. Peixoto, F. Reinert, A. Ernst, P. M. Echenique, A. Isaeva, E. V. Chulkov
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
Nature
instname
Nature
Magnetic topological insulators are narrow-gap semiconductor materials that combine non-trivial band topology and magnetic order. Unlike their nonmagnetic counterparts, magnetic topological insulators may have some of the surfaces gapped, which enabl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3aaa8d5eaaa7989e81a0374668f6a953
http://hdl.handle.net/10261/207527
http://hdl.handle.net/10261/207527
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.