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pro vyhledávání: '"Hétérojonction AlGaN/GaN"'
Autor:
Nifa, Iliass
Le travail de thèse effectué porte sur la caractérisation électrique et la modélisation du gaz d’électrons à deux dimensions (2D) dans les dispositifs MOS-HEMT à base de l’hétérojonction AlGaN/AlN/GaN. Ces dispositifs ont un fort potent
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT015/document
Autor:
Nifa, Iliass
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT015⟩
This thesis aims at studying the electrical characterization and modelling of two-dimensional (2D) electron gas in MOS-HEMT devices based on the hetero-junction AlGaN/AlN/GaN. These devices are very promising candidates for power electronics applicat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bda681a22722ef49a0d824b56940ee69
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731
Autor:
Souguir-Aouani, Amira
Il y a actuellement un intérêt croissant pour la construction des dispositifs électroniques à semiconducteur pour les applications domotiques. La technologie des semiconducteurs de puissance a été essentiellement limitée au silicium. Récemmen
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI093/document
Autor:
Souguir-Aouani , Amira
Publikováno v:
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEI093〉
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI093⟩
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI093⟩
There is increasing interest in the fabrication of power semiconductor devices in home automation applications. Power semiconductor technology has been essentially confined to Si. Recently, new materials with superior properties are being investigate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c7d4e1a451559495dc82060821927af8
https://theses.hal.science/tel-01784876
https://theses.hal.science/tel-01784876