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pro vyhledávání: '"Héctor Sánchez Martín"'
Autor:
Gaudencio Paz-Martínez, Ignacio Íñiguez-de-la-Torre, Héctor Sánchez-Martín, José Antonio Novoa-López, Virginie Hoel, Yvon Cordier, Javier Mateos, Tomás González
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 4, p 1515 (2022)
The responsivity of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) when operating as zero-bias RF detectors in the subthreshold regime exhibits different behaviors depending on the operating temperature and gate length of the transistors. We ha
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/abbc9d8d422d428b88b4a8c5fd931276
Autor:
Héctor Sánchez Martín
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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GREDOS: Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad de Salamanca (USAL)
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GREDOS: Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad de Salamanca (USAL)
[ES] Se han analizado diodos autoconmutantes (SSDs) y transitores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de GaN, tanto en el régimen DC como en AC, tanto desde el punto de vista experimental como de simulaciones. Las no linealidades presentes en la
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::934f9550c186960083e2ba0ee5f908de
http://hdl.handle.net/10366/144219
http://hdl.handle.net/10366/144219
