Zobrazeno 1 - 10
of 150
pro vyhledávání: '"Häffner, M."'
Autor:
Grüner, B., Jag, M., Stibor, A., Visanescu, G., Häffner, M., Kern, D., Günther, A., Fortágh, J.
We demonstrate an atom detector based on field ionization and subsequent ion counting. We make use of field enhancement near tips of carbon nanotubes to reach extreme electrostatic field values of up to 9x10^9 V/m, which ionize ground state rubidium
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0911.1329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Löffler, R., Häffner, M., Visanescu, G., Weigand, H., Wang, X., Zhang, D., Fleischer, M., Meixner, A.J., Fortágh, J., Kern, D.P.
Publikováno v:
In Carbon 2011 49(13):4197-4203
Autor:
Häffner, M., Schneider, K., Schuster, B.-E., Stamm, B., Latteyer, F., Fleischer, M., Burkhardt, C., Chassé, T., Stett, A., Kern, D.P.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2010 87(5):734-737
Autor:
Häffner, M., Kemmler, M., Löffler, R., Gómez, B. Vega, Fleischer, M., Kleiner, R., Koelle, D., Kern, D.P.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(4):895-897
Autor:
Blideran, M.M., Häffner, M., Schuster, B.-E., Raisch, C., Weigand, H., Fleischer, M., Peisert, H., Chassé, T., Kern, D.P.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(4):769-772
Autor:
Fleischer, M., Stade, F., Heeren, A., Häffner, M., Braun, K., Stanciu, C., Ehlich, R., Hörber, J.K.H., Meixner, A.J., Kern, D.P.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(4):1219-1221
Autor:
Häffner, M., Haug, A., Weitz, R.T., Fleischer, M., Burghard, M., Peisert, H., Chassé, T., Kern, D.P.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering May-June 2008 85(5-6):768-773
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2007 84(5):937-939