Zobrazeno 1 - 10
of 795
pro vyhledávání: '"H, Yoda"'
Autor:
Y. Ohsawa, H. Yoda, N. Shimomura, S. Shirotori, S. Fujita, K. Koi, A. Buyandalai, S. Oikawa, M. Shimizu, Y. Kato, T. Inokuchi, H. Sugiyama, M. Ishikawa, K. Ikegami, S. Takaya, A. Kurobe
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1233-1238 (2018)
Our new proposal of voltage-control spintronics memory (VoCSM) in which spin-orbit torque in conjunction with the voltage-control-magnetic-anisotropy effect works as the writing principle showed small switching current of $37~\mu \text{A}$ for about
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/03a3df8d0777445cbb1c3a66abffb36d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Fabrication of Mg-X-O (X = Fe, Co, Ni, Cr, Mn, Ti, V, and Zn) barriers for magnetic tunnel junctions
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 8, Iss 5, Pp 055905-055905-5 (2018)
We fabricated magnetic tunnel junctions with a 3d-transition material(X)-doped MgO (Mg-X-O) barrier, and evaluated the effect of the doping on magnetoresistance (MR) and microstructure. Among the variations of X (X = Fe, Co, Ni, Cr, Mn, Ti, V, and Zn
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8f62a8e4cc9c46d4b90f37800d45c71f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2021 IEEE 32nd Magnetic Recording Conference (TMRC).
Since data transfer between memories and CPUs or MPUs becomes a bottle-neck for AI applications, in-memory computing becomes one of the hot topics. While, SOT-MRAM and VoCSM were reported to have both low energy consumption and nonvolatility [1] . Vo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.