Zobrazeno 1 - 10
of 579
pro vyhledávání: '"H, Yamagiwa"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N, Minegishi, J, Ohta, H, Yamagiwa, N, Suzuki, S, Kawauchi, Y, Zhou, S, Takahashi, N, Hayashi, J D, Engel, M, Yamamoto
Publikováno v:
Blood. 93:4196-4207
We previously reported that the mouse GATA-2 gene is regulated by two alternative promoters (Minegishi et al, J Biol Chem, 273:3625, 1998). Although the more proximal IG (general) promoter is active in almost all GATA-2–expressing cells, the distal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2a8f4681551c88ca58d91c4e548baf72
https://doi.org/10.1182/blood.v93.12.4196.412k23_4196_4207
https://doi.org/10.1182/blood.v93.12.4196.412k23_4196_4207
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 84:1416-1418
Current induced magnetic field over a metal nanostructure was investigated by using magnetic force microscopy (MFM) to discuss the spatial resolution and the detection current limit in measuring current distribution in a polycrystalline-Si (poly-Si)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7477f955cf29f3a5bd984bab8addc5da
https://doi.org/10.1016/j.mee.2007.01.207
https://doi.org/10.1016/j.mee.2007.01.207
Publikováno v:
Journal of Materials Science Letters. 15:197-200
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1823adc722e611043d71b7c74728de8
https://doi.org/10.1007/bf00274449
https://doi.org/10.1007/bf00274449
Publikováno v:
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's.
A new sense device structure is proposed for hybrid IGBTs in which current sensing ratio (CSR) is constant for a wide range of collector currents (ICE)- Hybrid IGBTs are a new type of switching device, with 2 operation modes: MOS operation mode at lo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b1e1afe91f6c34d064cc11a23a9e96b
https://doi.org/10.1109/ispsd.2008.4538937
https://doi.org/10.1109/ispsd.2008.4538937
Publikováno v:
Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's.
A new lateral 800 V hybrid IGBT with a high-speed internal diode is proposed for switch-mode power supply (SMPS) applications. The hybrid IGBT operates as a MOS only when the collector/drain current is small. Then, the device shifts to IGBT operation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6d69f89b605928b3c338aacb634bed0c
https://doi.org/10.1109/ispsd.2007.4294921
https://doi.org/10.1109/ispsd.2007.4294921
Autor:
N. Nakagawa, Fujio Wakaya, H. Yamagiwa, Mikio Takai, K. Tanaka, T. Sakamoto, Satoshi Abo, H. Tokioka
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
A local resistance of a low‐temperature polycrystalline silicon in a thin film transistor (TFT) for a liquid crystal display was measured using scanning spreading resistance microscopy for investigating an activation of dopant atoms. The observed T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eac58f827d67d35b76bf492731b84bee
https://doi.org/10.1063/1.2401575
https://doi.org/10.1063/1.2401575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.