Zobrazeno 1 - 10
of 714
pro vyhledávání: '"Gustafson T"'
Autor:
Jesenovec, J., Pansegrau, C., McCluskey, M. D., McCloy, J. S., Gustafson, T. D., Halliburton, L. E., Varley, J. B.
Beta-Ga2O3 is an ultra-wide bandgap semiconductor with emerging applications in power electronics. The introduction of acceptor dopants yields semi-insulating substrates necessary for thin-film devices. In the present work, exposure of Cu-doped Ga2O3
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2201.01861
Autor:
Gustafson, T. D., Halliburton, L. E., Giles, N. C., Schunemann, P. G., Zawilski, K. T., Jesenovec, J., Averett, K. L., Slagle, J. E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/21/2024, Vol. 135 Issue 15, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gustafson, T. D., Giles, N. C., Schunemann, P. G., Zawilski, K. T., Averett, K. L., Slagle, J. E., Halliburton, L. E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/28/2023, Vol. 133 Issue 24, p1-11, 11p
Autor:
Gustafson, T. D., Giles, N. C., Holloway, B. C., Jesenovec, J., Dutton, B. L., McCloy, J. S., McCluskey, M. D., Halliburton, L. E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 11/14/2022, Vol. 132 Issue 18, p1-7, 7p
Autor:
Gustafson, T. D., Kananen, B. E., Giles, N. C., Holloway, B. C., Adamiv, V. T., Teslyuk, I. M., Burak, Ya. V., Halliburton, L. E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2022, Vol. 131 Issue 18, p1-10, 10p
Autor:
Gustafson, T. D., Giles, N. C., Holloway, B. C., Lenyk, C. A., Jesenovec, J., McCloy, J. S., McCluskey, M. D., Halliburton, L. E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/14/2022, Vol. 131 Issue 6, p1-14, 14p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence March 2017 183:525-532