Zobrazeno 1 - 10
of 146
pro vyhledávání: '"Gushchina E"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gushchina, E. V.1 (AUTHOR) katgushch@yandex.ru, Malykh, D. A.1 (AUTHOR), Dunaevsky, M. S.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2022, Vol. 56 Issue 6, p325-328. 4p.
Autor:
Gushchina, E. V.1 (AUTHOR) katgushch@yandex.ru, Borodin, B. R.1 (AUTHOR), Sharov, V. A.1 (AUTHOR), Osipov, V. V.1 (AUTHOR), Pavlov, S. I.1 (AUTHOR), Yagovkina, M. A.1 (AUTHOR), Dunaevskii, M. S.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Dec2020, Vol. 65 Issue 12, p2066-2071. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Lebedev A. A., null Lebedev S. P., null Malykh D. A., null Gushchina E. V., null Dunaevskiy M. S.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:54
The paper proposes a method for determining the instrumental function for measuring the surface potential in the Kelvin probe microscopy mode. The method is based on the use of SiC samples with regions of single-layer and double-layer graphene as a t
Autor:
Bessolov, V. N.1 (AUTHOR), Gushchina, E. V.1 (AUTHOR), Konenkova, E. V.1 (AUTHOR) lena@triat.ioffe.rssi.ru, Konenkov, S. D.2 (AUTHOR), L'vova, T. V.1 (AUTHOR), Panteleev, V. N.1 (AUTHOR), Shcheglov, M. P.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Apr2019, Vol. 64 Issue 4, p531-534. 4p. 1 Black and White Photograph, 1 Graph.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Emtsev, V. V.1, Gushchina, E. V.1, Petrov, V. N.1, Tal’nishnih, N. A.2, Chernyakov, A. E.2, Shabunina, E. I.1, Shmidt, N. M.1 Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru, Usikov, A. S.3, Kartashova, A. P.1, Zybin, A. A.4, Kozlovski, V. V.5, Kudoyarov, M. F.1, Saharov, A. V.1, Oganesyan, A. G.1, Poloskin, D. S.1, Lundin, V. V.1
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2018, Vol. 52 Issue 7, p942-949. 8p.